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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R0-80PS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R0-80PS,127价格参考¥2.72-¥2.72。NXP SemiconductorsPSMN5R0-80PS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN5R0-80PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN5R0-80PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R0-80PS,127 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅5.0 mΩ @ VGS = 10 V,6.5 mΩ @ 4.5 V)、高电流能力(ID连续达120 A)及优异的热性能。其主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器/通信设备中的同步整流BUCK转换器、POL(负载点)模块,提升效率并降低温升; 2. 电动工具与电池供电设备:作为电机驱动H桥的高端/低端开关,支持12–24 V电池系统,快速开关(ton/toff短)与强抗雪崩能力保障可靠性; 3. 工业控制与PLC输出级:用作固态继电器(SSR)或电磁阀/LED负载驱动开关,逻辑电平兼容性(4.5 V驱动)便于MCU直接控制; 4. 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101认证(注:该型号为工业级,非车规;但同系列有车规版本),适用于车载充电器、座椅调节、水泵等12 V/24 V低压直流负载控制。 其LFPAK56封装兼具SO-8兼容性与卓越散热性,适合高功率密度PCB布局。需注意实际应用中应配合合理门极驱动、PCB铜箔散热设计及过流/过热保护机制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220ABMOSFET N-CH 80V 4.7 mOhm Standard MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R0-80PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R0-80PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 270 W |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6793pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 101nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4894-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 73 ns |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/T0220.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |