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产品简介:
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PSMN4R6-100XS,127 是恩智浦(NXP)推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅4.6 mΩ @ Vgs=10V,6.3 mΩ @ Vgs=4.5V)、高电流能力(ID=120A,脉冲可达480A)及优异热性能。其主要应用场景包括: - 高效DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器,提升效率并降低温升; - 电机驱动系统:适用于中小功率无刷直流(BLDC)电机控制器、电动工具、风扇及泵类驱动,支持高频PWM开关(≤100 kHz),响应快、损耗低; - 电池管理系统(BMS)与电子负载开关:作为主回路或保护开关,配合过流/短路保护电路,实现快速关断与低功耗待机; - LED照明驱动:用于高亮度LED恒流驱动的高压侧或低压侧开关,支持调光控制; - 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:需确认具体批次是否通过车规认证),可用于车载充电模块、座椅/车窗控制等12V/24V负载开关。 该器件支持逻辑电平驱动(4.5V即可充分导通),兼容微控制器直接驱动,简化外围电路设计;LFPAK封装具备低寄生电感和优异散热性,适合紧凑型高功率密度应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 70.4A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN4R6-100XS,127 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9900pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 153nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.6 毫欧 @ 15A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 其它名称 | 568-10158 |
| 功率-最大值 | 63.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 70.4A (Tc) |