Datasheet下载- 型号： PSMN3R7-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R7-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R7-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R7-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R7-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R7-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R7-25YLC,115 是 NXP（恩智浦）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.7 mΩ @ VGS = 10 V，4.5 mΩ @ 4.5 V）和优异的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动与负载开关：适用于无刷直流（BLDC）电机控制模块、电动工具、风扇驱动及智能家电中的H桥或半桥驱动电路，支持快速开关与大电流承载（ID连续达120 A）。 - 电池管理系统（BMS）与电子保险丝：凭借低RDS(on)和强短路耐受能力，用于电池保护板中的充放电主回路开关及过流保护器件。 - LED照明驱动与固态继电器（SSR）：在高功率LED恒流驱动及替代机械继电器的固态开关中，提供高可靠性与长寿命。 该器件支持逻辑电平驱动（4.5 V即可充分导通），兼容微控制器直接驱动；具备AEC-Q101车规级可靠性认证（部分批次），亦适用于严苛工业环境。其紧凑封装利于高密度PCB布局，兼顾散热与性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 97A LFPAKMOSFET N-Ch 25V 3.9 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 97 A |
| Id-连续漏极电流 | 97 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R7-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R7-25YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 64 W |
| Pd-功率耗散 | 64 W |
| Qg-GateCharge | 21.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.54 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.54 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1585pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6734-1 |
| 功率-最大值 | 64W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 97A （Tmb） |
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