Datasheet下载- 型号： PSMN3R5-80ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R5-80ES,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R5-80ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R5-80ES,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R5-80ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R5-80ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R5-80ES,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：80V VDS、典型导通电阻 RDS(on) 仅 3.5 mΩ（VGS = 10 V）、连续漏极电流 ID 高达 120 A（Tc = 25°C），具备低开关损耗与优异热性能。 该器件主要应用于中高压、高效率、高功率密度的电源管理系统，典型场景包括： ✅ 服务器与通信电源：用于同步整流、OR-ing（电源冗余切换）、热插拔电路及 DC-DC 降压转换器（如 POL 模块），提升能效与可靠性； ✅ 工业电机驱动与PLC输出级：作为H桥或半桥开关，驱动中小功率直流/无刷电机，得益于低RDS(on)和快速开关特性，减少发热与能量损耗； ✅ 电池管理系统（BMS）与储能系统：用于电池保护电路（过流/短路保护）、充放电主开关及均衡控制，支持高电流双向通断； ✅ LED 驱动与照明电源：在高亮度LED恒流驱动及智能调光电源中用作PWM开关元件； ✅ 汽车电子辅助系统（非安全关键应用）：如车载充电模块、风扇/水泵控制、车身控制单元（BCU）中的负载开关等（需满足AEC-Q101认证——注：该型号为工业级，非车规版，实际车用需确认具体版本及认证状态）。 其LFPAK封装具备优异散热性与PCB贴装可靠性，适合紧凑型高功率设计。应用时建议配合优化的栅极驱动与PCB热设计，以充分发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN3R5-80ES,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9800pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 139nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-6711 |
| 功率-最大值 | 338W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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