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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R6-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R6-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R6-30YLC,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN2R6-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN2R6-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R6-30YLC,115 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的高性能低压N沟道逻辑电平MOSFET,采用LFPAK56封装,具有超低导通电阻(Rds(on)典型值仅2.6 mΩ @ Vgs=10V,4.5 mΩ @ Vgs=4.5V)、快速开关特性及强鲁棒性。其主要应用场景包括: • 高效率DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL(负载点)模块,可显著降低导通损耗,提升能效。 • 电机驱动与电子负载控制:适用于小型直流无刷电机(BLDC)驱动的上/下桥臂、风扇/泵类驱动电路,以及电池供电设备中的功率开关与电流调节。 • 热插拔与电源管理:在热插拔控制器、ORing电路、eFuse及智能配电单元中,凭借低Rds(on)和优异SOA(安全工作区),实现低功耗、高可靠性的过流/短路保护。 • LED照明驱动:用于大电流LED恒流驱动或调光开关,支持PWM高频控制,减少发热与体积。 • 汽车电子辅助系统:满足AEC-Q101认证(注:该型号为工业级,但部分衍生版本适用于车载环境),可用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动等12V系统。 该器件支持逻辑电平驱动(4.5V即可完全导通),兼容微控制器GPIO直接驱动,简化外围设计;LFPAK56封装具备优异散热性能与PCB贴装可靠性,适合紧凑型高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 30V 2.8mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R6-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R6-30YLC,115 |
| Pd-PowerDissipation | 106 W |
| Pd-功率耗散 | 106 W |
| Qg-GateCharge | 39 nC |
| Qg-栅极电荷 | 39 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.54 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.54 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2435pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6730-1 |
| 功率-最大值 | 106W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |