Datasheet下载- 型号： PSMN1R9-25YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN1R9-25YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN1R9-25YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN1R9-25YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN1R9-25YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN1R9-25YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN1R9-25YLC,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（Rds(on)典型值仅1.9 mΩ @ Vgs=10V，2.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性和强鲁棒性。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，降低导通损耗，提升系统能效（尤其在12V/48V输入、大电流（>30A）输出场景）； - 电动工具与电池供电设备：适配锂电（如18V–60V电池组）的电机驱动H桥或单边开关，凭借低Rds(on)和高脉冲电流能力（IDpuls达180A），显著延长续航并减少温升； - 固态继电器（SSR）与负载开关：用于PLC模块、智能电表、LED驱动等需高可靠性通断控制的场合，支持逻辑电平（3.3V/5V）直接驱动，简化栅极驱动设计； - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101认证（注：需确认具体批次是否通过，该型号常用于车载DC-DC、LED前照灯调光、风扇控制等非安全关键应用）。 其LFPAK56封装具备优异热性能（Rth(j-sp) ≈ 1.5°C/W），适合紧凑型PCB布局与自然对流散热，是中大功率、高密度电源管理的理想选型。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAKMOSFET N-Ch 25V 2.05 mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN1R9-25YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN1R9-25YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 141 W |
| Pd-功率耗散 | 141 W |
| Qg-GateCharge | 27 nC |
| Qg-栅极电荷 | 27 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.05 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.05 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.47 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.47 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3504pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.05 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6725-1 |
| 功率-最大值 | 141W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 2.05 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 100 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single Triple Source |
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