Datasheet下载- 型号： PSMN013-100ES,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN013-100ES,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN013-100ES,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN013-100ES,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN013-100ES,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN013-100ES,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN013-100ES,127 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高耐压和高电流能力，适用于多种高效率功率电子系统。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等电源管理系统中，提高能效并减少发热。 2. 电机驱动：适用于无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具和电动车控制器，因其具备高电流承载能力和快速开关特性。 3. 电池管理系统（BMS）：在锂电池保护电路中作为高侧或低侧开关使用，用于防止过流、短路等异常情况。 4. 工业自动化：用于PLC、继电器替代、工业电源模块等设备中，实现高效、稳定的功率控制。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于车载电源系统、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器等汽车应用。 6. 消费类电子产品：如高功率LED照明、快充适配器、移动电源等对效率和体积要求较高的产品。 该MOSFET采用TISON封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度PCB设计。其100V耐压和高导通性能使其在多种中高功率应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V I2PAKMOSFET Single NChannel 100V 272A 170W 30mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 47 A |
| Id-连续漏极电流 | 47 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN013-100ES,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN013-100ES,127 |
| Pd-PowerDissipation | 170 W |
| Pd-功率耗散 | 170 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 90 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 90 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3195pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-7510-5 |
| 功率-最大值 | 170W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 68A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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