Datasheet下载- 型号： PSMN011-30YL,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN011-30YL,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN011-30YL,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN011-30YL,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN011-30YL,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN011-30YL,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN011-30YL 是由 NXP USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单类型。这款器件具有以下关键特性与应用场景： 器件特性 1. 电压等级：该 MOSFET 的最大漏源极电压（Vds）为 30V，适合低至中等电压的应用场景。 2. 电流能力：其连续漏极电流（Id）可达 115A（在特定条件下），表明它能够处理大电流负载。 3. 低导通电阻：该型号的导通电阻（Rds(on)）非常低，典型值为 0.8 毫欧（mΩ），有助于减少功率损耗，提高效率。 4. 封装形式：采用 LFPAK56 (Power-SO8) 封装，这种封装方式具备良好的散热性能和紧凑的设计。 应用场景 基于上述特性，PSMN011-30YL 在以下领域有着广泛的应用： 1. 开关电源（SMPS）： - 适用于 DC-DC 转换器、反激式转换器等拓扑结构中的主开关元件。 - 高效的导通特性和较低的开关损耗使其成为高频开关应用的理想选择。 2. 电机驱动： - 用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型电机的驱动电路中。 - 可以快速响应并精确控制电机的速度和方向。 3. 负载切换： - 在需要频繁开启或关闭高电流负载的情况下，例如汽车电子系统中的继电器替代方案。 - 提供低损耗的电流路径以保护其他敏感组件。 4. 电池管理系统（BMS）： - 控制电池充放电回路，确保安全操作条件。 - 实现过流保护、短路保护等功能。 5. 工业自动化： - 作为固态继电器使用，在 PLC 输出端口或者传感器接口处进行信号隔离与放大。 - 支持各种工业设备中的功率调节任务。 6. 消费类电子产品： - 包括笔记本电脑适配器、平板充电器在内的便携式设备电源管理单元。 - 数字音频放大器（D 类放大器）内的输出级驱动。 总之，PSMN011-30YL 凭借其卓越的电气性能和可靠性，非常适合那些要求高效能、高可靠性的电力电子设计项目。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 51A LFPAKMOSFET N-Ch 30V Trench MOS logic level FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 36 A |
| Id-连续漏极电流 | 36 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN011-30YL,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN011-30YL,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 49 W |
| Pd-功率耗散 | 49 W |
| Qg-GateCharge | 7.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.15 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.15 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 726pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.7 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6902-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 49W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK33-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 51A （Tj） |
| 配置 | Single |
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