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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PQMD12Z由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PQMD12Z价格参考。NXP SemiconductorsPQMD12Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PQMD12Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PQMD12Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PQMD12Z 是 Nexperia(安世半导体)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,属于预偏置型(Pre-biased)NPN+NPN双通道器件,内置基极-发射极和基极-集电极电阻(典型配置:R₁ = 2.2 kΩ,R₂ = 47 kΩ),无需外置偏置电阻,简化电路设计。 其主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:常用于微控制器(MCU)、FPGA或逻辑IC(如74系列)输出端,驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或光耦输入级,实现5V/3.3V至更高电压(如12V)的电平适配与电流放大。 2. 紧凑型开关应用:适用于空间受限的便携设备(如智能穿戴、TWS耳机充电仓、IoT传感器节点),替代分立三极管+电阻方案,降低BOM数量与PCB面积。 3. 负载切换与信号选通:在多路LED背光控制、按键扫描矩阵、电源使能(EN)信号调理等场景中,作为低功耗、高可靠性的双路电子开关使用。 4. 工业与汽车电子辅助电路:符合AEC-Q101标准(PQMD12Z为车规级型号),可用于车载信息娱乐系统中的状态指示、传感器信号调理及CAN/LIN总线接口保护电路中的缓冲级。 该器件具备高增益(hFE 100–600)、低饱和压降(VCE(sat) < 0.1 V @ Ic = 10 mA)、ESD防护(>4 kV HBM)及-55°C~+150°C宽温工作范围,兼顾可靠性与易用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RET NPN/PNP 6DFN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PQMD12Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 150mV @ 500µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN (1.1x1) |
| 其它名称 | 568-10950-1 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-XFDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-dfn1010-transistors/3980 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | 230MHz, 180MHz |