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- 型号： PMWD26UN,518
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMWD26UN,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMWD26UN,518价格参考。NXP SemiconductorsPMWD26UN,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMWD26UN,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMWD26UN,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMWD26UN,518 是 Nexperia（安世半导体）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SOT-363 封装），具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 26 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷及高开关效率等特点。其典型应用场景包括： • 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表中的负载开关、LED 背光驱动或相机闪光灯控制，利用其双通道结构实现紧凑布局与协同控制。 • DC-DC 转换器辅助开关：在同步降压/升压转换器中用作次级侧同步整流开关（尤其适用于中低功率、高效率要求场景），提升转换效率并降低温升。 • 电池供电系统保护与分配：用于双电池切换、USB Type-C 接口电源路径管理、充电/放电路径隔离等，支持快速关断与低功耗待机。 • 工业与消费类接口驱动：如 I²C 或 GPIO 扩展电路中的电平转换/信号选通，或驱动小型继电器、LED 阵列等容性/阻性负载。 该器件具备 ESD 保护（HBM >2kV）、符合 AEC-Q101（车规级可靠性认证），亦可用于车载信息娱乐系统中的非安全关键子模块（如氛围灯控制）。需注意其最大 Vds=20V、Id=0.5A（连续），不适用于高压或大电流主功率路径。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMWD26UN,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1366pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 30 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | 568-2363-6 |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.8A |
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