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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMT200EN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMT200EN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMT200EN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMT200EN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMT200EN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMT200EN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMT200EN,115 是恩智浦（NXP）出品的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-23小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅0.18Ω @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈2.4nC）及快速开关特性。其额定参数为：Vds=20V，Id=2.6A（连续），峰值脉冲电流达8A，结温范围-55℃~150℃。 该器件主要适用于空间受限、中低功率、需高效开关控制的便携式与嵌入式电子系统，典型应用场景包括： • 智能手机/可穿戴设备中的LED背光驱动与RGB灯效控制； • 电池供电设备（如TWS耳机、蓝牙模块、IoT传感器节点）中的电源路径管理与负载开关； • DC-DC转换器（如Buck或LDO后级）中的同步整流或使能控制； • 电机驱动电路（如微型振动马达、小风扇）的H桥低端开关； • 微控制器（如ARM Cortex-M系列）GPIO直接驱动的逻辑电平接口电路，无需额外驱动芯片（兼容1.8V/3.3V/5V逻辑）。 凭借SOT-23封装和逻辑电平兼容性，PMT200EN,115特别适合高密度PCB布局，兼顾效率、成本与可靠性，不适用于高压、大电流或高频谐振应用（如主开关电源拓扑）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V SC-73 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMT200EN,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 475pF @ 80V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 235 毫欧 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 934066917115 |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Ta） |
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