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  • 型号: PMST6428,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMST6428,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMST6428,135价格参考。NXP SemiconductorsPMST6428,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMST6428,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMST6428,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia的PMST6428,135是一款PNP型通用双极结型晶体管(BJT),采用SOT323(SC-70)小型表面贴装封装,具有高增益(hFE典型值120–270)、低饱和压降(VCE(sat)低至0.15 V @ IC = 100 mA)和良好频率响应(fT ≈ 100 MHz),适用于中低功率开关与线性放大场景。

典型应用场景包括:  
1. 电源管理:在便携设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中用作负载开关、LED驱动或电池保护电路中的控制开关;  
2. 信号切换与电平转换:在MCU I/O口驱动能力不足时,作为逻辑电平转换器或数字信号缓冲/反相器(如3.3 V ↔ 5 V接口);  
3. 模拟前端:在传感器信号调理电路中用于小信号放大(如温度、光敏电阻等微弱信号预放大);  
4. 消费类电子:电视/机顶盒遥控接收模块、音频设备音量控制开关、电机(微型振动马达)驱动等。  

其SOT323封装尺寸小(2.0 × 2.1 × 0.9 mm)、热性能优、ESD防护强(HBM ≥ 2 kV),特别适合空间受限、高密度PCB设计。需注意:该器件为PNP型,使用时需注意偏置方向(发射极接高电位),不适用于高压(VCEO = –60 V)或大电流(IC,max = –500 mA)主功率路径。整体定位为高可靠性、低成本的通用开关/放大器件,广泛用于工业控制、汽车电子(非安全关键模块)及IoT终端设备。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN 50V 100MA SOT323两极晶体管 - BJT TRANS GP TAPE-11

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMST6428,135-

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产品型号

PMST6428,135

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

600mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

250 @ 100µA, 5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-323

其它名称

934030870135
PMST6428 /T3
PMST6428 /T3-ND

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

700 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SOT-323

工厂包装数量

10000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

10,000

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

250 at 0.01 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

250 at 0.01 mA at 5 V, 250 at 0.1 mA at 5 V, 250 at 1 mA at 5 V, 250 at 10 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

零件号别名

/T3 PMST6428

频率-跃迁

700MHz

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