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产品简介:
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PMR370XN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET(单个封装),采用 SOT-23 小型表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 140 mΩ @ VGS = 4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 2.3 nC)和高开关效率等特点。其典型应用场景包括: - 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED 驱动或电池保护电路,得益于其小尺寸与低功耗特性; - 低压直流/直流转换器:常用于同步降压(Buck)转换器的同步整流侧(低边开关),提升能效(尤其在 3.3 V / 5 V 输入系统中); - 接口与信号切换电路:如 USB 端口电源开关、I²C/SPI 外设供电控制、传感器模块使能控制等,支持逻辑电平直接驱动(兼容 1.8 V–5 V MCU GPIO); - 电机驱动辅助电路:适用于小型直流有刷电机(如微型风扇、振动马达)的 PWM 调速或启停控制(需外置续流二极管及限流保护); - 工业与消费类嵌入式系统:作为继电器替代方案,用于板级电源域隔离、故障保护切断或状态指示控制。 该器件工作结温范围为 –55°C 至 +150°C,具备 ESD 保护(HBM ≥ 2 kV),符合 RoHS 与 AEC-Q101(部分批次)可靠性标准,适用于空间受限且对成本与能效敏感的中低功率(<1 W 连续导通,峰值电流约 2.5 A)应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMR370XN,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 37pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 440 毫欧 @ 200mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-6869-2 |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 840mA (Tsp) |