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产品简介:
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PMR290XN,115 是 Nexperia(安世半导体)推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用小型 SOT-23(TO-236AB)封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值 0.14 Ω @ Vgs=4.5V)、低栅极电荷(Qg ≈ 2.1 nC)和快速开关特性。其主要应用场景包括: - 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED驱动或电池保护电路,得益于其小尺寸、低功耗与逻辑电平驱动能力(兼容1.8V/3.3V MCU GPIO直接驱动); - DC-DC 转换器次级侧同步整流:在降压(Buck)转换器中用作高效整流开关,提升转换效率; - 工业与消费类控制电路:如继电器替代、电机微功率驱动(小型直流风扇/振动马达)、传感器接口的信号切换与电平转换; - USB端口过流保护及热插拔控制:内置ESD防护(HBM ±2kV),适合需高可靠性的接口保护设计。 该器件额定电压为30V,连续漏极电流ID=3.5A(Tc=25°C),具备良好的热稳定性与雪崩耐量,适用于空间受限、强调能效与响应速度的中低功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMR290XN,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 34pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.72nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 350 毫欧 @ 200mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-75 |
| 其它名称 | 568-7437-6 |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-75,SOT-416 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 970mA (Tsp) |