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PMPB23XNE,115产品简介:
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PMPB23XNE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET(单个封装),采用小型无铅 SOT-23(SC-59)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 3.8 nC)和高开关效率等特点。其典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断,利用其低功耗与小尺寸优势; 2. DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为同步整流管,提升转换效率并减少发热; 3. LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的恒流/调光开关,支持 PWM 高频驱动; 4. 工业与消费类嵌入式系统:如 MCU GPIO 驱动的继电器/电磁阀控制、传感器供电使能(Enable)开关等低电流(ID ≤ 2.5 A)逻辑控制场景; 5. USB 端口过压/过流保护及热插拔电路:配合保护 IC 实现快速关断与反向隔离。 该器件额定电压为 –20 V(VDS),最大连续漏极电流为 –2.5 A(TA = 25°C),支持 –1.8 V 至 –4.5 V 的逻辑电平驱动,兼容低压微控制器(如 1.8 V/3.3 V I/O),且具备 ESD 保护(HBM ≥ 2 kV),适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 7A 6DFNMOSFET PMPB23XNE/SOT1220/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 10.1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB23XNE,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMPB23XNE,115 |
| Pd-PowerDissipation | 12.5 W |
| Pd-功率耗散 | 12.5 W |
| Qg-GateCharge | 11.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.65 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.65 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1136pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 7A,4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD (2x2) |
| 其它名称 | 568-10818-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020MD-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |