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  • 型号: PMPB23XNE,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMPB23XNE,115产品简介:

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PMPB23XNE,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET(单个封装),采用小型无铅 SOT-23(SC-59)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 3.8 nC)和高开关效率等特点。其典型应用场景包括:

1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断,利用其低功耗与小尺寸优势;  
2. DC-DC 转换器同步整流:在降压(Buck)转换器中作为同步整流管,提升转换效率并减少发热;  
3. LED 驱动与背光控制:用于中小功率 LED 的恒流/调光开关,支持 PWM 高频驱动;  
4. 工业与消费类嵌入式系统:如 MCU GPIO 驱动的继电器/电磁阀控制、传感器供电使能(Enable)开关等低电流(ID ≤ 2.5 A)逻辑控制场景;  
5. USB 端口过压/过流保护及热插拔电路:配合保护 IC 实现快速关断与反向隔离。

该器件额定电压为 –20 V(VDS),最大连续漏极电流为 –2.5 A(TA = 25°C),支持 –1.8 V 至 –4.5 V 的逻辑电平驱动,兼容低压微控制器(如 1.8 V/3.3 V I/O),且具备 ESD 保护(HBM ≥ 2 kV),适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 7A 6DFNMOSFET PMPB23XNE/SOT1220/REEL7

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

10.1 A

Id-连续漏极电流

10.1 A

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB23XNE,115-

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产品型号

PMPB23XNE,115

Pd-PowerDissipation

12.5 W

Pd-功率耗散

12.5 W

Qg-GateCharge

11.6 nC

Qg-栅极电荷

11.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

19 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

19 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.65 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.65 V

上升时间

20 ns

下降时间

32 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1136pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 7A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-DFN2020MD (2x2)

其它名称

568-10818-6

典型关闭延迟时间

31 ns

功率-最大值

1.7W

包装

Digi-Reel®

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020MD-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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