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Datasheet下载- 型号： PMPB16XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMPB16XN,115产品简介：
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PMPB16XN,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的一款P沟道增强型MOSFET，采用小型无铅DFN1006-3（0402）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 95 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.1 nC）及超小尺寸（1.0 mm × 0.6 mm），适用于空间受限的便携式电子设备。 典型应用场景包括： ✅ 电池供电设备的电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电池保护电路或负载开关，利用其低静态电流与快速开关特性实现高效充放电控制； ✅ 反向电压/极性保护电路——作为“理想二极管”替代传统肖特基二极管，降低压降与功耗（尤其在3.3V/1.8V低压系统中）； ✅ LED驱动与背光控制——用于中小电流（ID ≤ 0.5 A连续，脉冲可达1.2 A）的LED开关调光，配合PWM信号实现低功耗亮度调节； ✅ 逻辑电平转换与GPIO驱动——兼容1.8V/3.3V MCU输出，可直接由微控制器IO口驱动，控制外围模块的上电时序或使能信号。 该器件工作结温范围为–55°C 至 +150°C，具备ESD防护（HBM ≥ 2 kV），适合高可靠性、微型化消费电子及物联网终端。需注意其P沟道特性，常用于高边开关配置，设计时应合理匹配栅极驱动电压与PCB散热。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMPB16XN,115 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 775pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 21 毫欧 @ 7.2A， 4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10454-6 |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/low-rdson-mosfets-in-ultra-small-packages/3946 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A （Ta） |
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