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- 型号： PMN49EN,135
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMN49EN,135产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN49EN,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PMN49EN,135价格参考以及NXP SemiconductorsPMN49EN,135封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PMN49EN,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PMN49EN,135详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN49EN,135 是 Nexperia（安世半导体）推出的 P 沟道增强型 MOSFET，采用 SOT-23 小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 49 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（QG ≈ 3.4 nC）和高开关效率等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，用于实现反向电流阻断、低功耗待机控制及上电/断电时序管理； - DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器的高边或低边开关中作为高效功率开关，尤其适用于小功率（≤2A）应用，提升转换效率并减小发热； - LED 驱动与背光控制：用于中小尺寸显示屏（如OLED/LCD）的局部调光或恒流驱动开关，响应快、导通压降低； - 接口保护与热插拔电路：配合限流/过压保护IC，实现USB、I²C等低压总线的浪涌抑制与安全接入； - 工业与物联网节点：在传感器模块、无线MCU外围电路中用作电池供电系统的主控开关或信号电平转换开关。 该器件额定电压为−30 V，连续漏极电流达−3.8 A（TA=25°C），具备良好的ESD防护能力（HBM ±2 kV），适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PMN49EN,135 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7424-1 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.6A （Tsp） |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/415-4"X36YD.jpg)
