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  • 型号: PMN35EN125
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMN35EN125由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN35EN125价格参考。NXP SemiconductorsPMN35EN125封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMN35EN125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMN35EN125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMN35EN125 是 NXP USA Inc. 推出的一款 P 沟道增强型 MOSFET(单个封装),采用小型 SOT-23 封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 125 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 2.8 nC)及快速开关特性。其额定电压为 −30 V,连续漏极电流(ID)达 −3.5 A(TA = 25°C),适用于低压、中低功率场景。

典型应用场景包括:  
✅ 电源管理:作为负载开关(Load Switch)用于便携设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)的电源域控制,实现低功耗待机与快速上电/断电;  
✅ 电池保护电路:在锂离子电池组中用作充电/放电路径的反向阻断开关(配合充电IC),防止反向电流或过放;  
✅ DC-DC 转换器:在同步降压(Buck)转换器中作为高边或低边开关(需注意驱动逻辑),提升轻载效率;  
✅ 接口保护与电平转换:用于 USB、I²C 等总线的热插拔保护或电平位移(配合上拉电阻);  
✅ LED 驱动与小功率负载控制:驱动 LED、微型继电器、蜂鸣器等,支持 PWM 调光或脉冲控制。

该器件因体积小、功耗低、易集成,特别适合空间受限、对能效和响应速度有要求的消费电子与物联网终端设备。不适用于高压、大电流或高频谐振拓扑等严苛工业场景。
产品参数 图文手册 常见问题
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