图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMN25UN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMN25UN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMN25UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMN25UN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMN25UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMN25UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMN25UN,115 是恩智浦（NXP）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-457（SC-74）小型表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷及快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速响应。 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器的高边或低边配置中（常配合N-MOSFET构成同步整流），提升转换效率，适用于USB PD充电模块、PMIC周边功率级。 3. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED灯串的PWM调光开关，凭借低热损耗和小尺寸适配紧凑型LED驱动板。 4. 工业与IoT传感器节点：在电池供电的传感器模块中作为使能开关，控制MCU外围电路（如RF收发器、ADC采样单元）的上电时序，延长续航。 5. H桥电机驱动（低功率）：可作为H桥一侧的P-MOS上桥臂，驱动微型直流电机或振动马达（如手机震动模块），需注意搭配逻辑电平兼容的栅极驱动设计。 该器件额定电压–20 V、连续漏极电流–2.9 A（Ta=25°C），具备ESD防护（HBM 2 kV），适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 6TSOPMOSFET 20V 6 A N-CH TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMN25UN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMN25UN,115 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 530 mW |
| Pd-功率耗散 | 530 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 27 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-10417-2 |
| 功率-最大值 | 530mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SOT-457-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
