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- 型号： PMGD175XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PMGD175XN,115产品简介：
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PMGD175XN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双通道 N 沟道逻辑电平 MOSFET 阵列（采用 SOT-363 封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 85 mΩ @ VGS = 4.5 V）、小尺寸、高开关速度和增强型逻辑电平驱动特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED背光/指示灯控制，利用其低功耗与快速响应特性实现高效启停控制。 - DC-DC 转换器辅助电路：在同步降压/升压转换器中用作自举驱动或次级侧同步整流开关（尤其适用于中小电流路径）；也可用于电源路径管理（Power Path Control）与电池充放电切换。 - 接口与信号切换：在 I²C、SPI 等数字总线中实现电平转换或总线隔离（配合上拉电阻），或用于 USB 外设供电开关（符合 USB On-The-Go 规范要求）。 - 电机与执行器驱动：适用于微型直流电机（如振动马达、小风扇）、电磁阀等低功率负载的 H 桥半桥驱动或方向控制（需外置驱动逻辑）。 - 工业与消费类嵌入式系统：作为 MCU GPIO 扩展输出，驱动继电器、LED 阵列、传感器模块供电等，简化外围电路设计。 该器件支持 20 V 最大漏源电压、±2 A 连续漏极电流（TA=25°C），具备 ESD 保护（HBM >2 kV），适合空间受限、注重能效与可靠性的中低功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6TSSOPMOSFET PMGD175XN/SC-88/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMGD175XN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMGD175XN,115 |
| Pd-PowerDissipation | 905 mW |
| Pd-功率耗散 | 905 mW |
| Qg-GateCharge | 0.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 0.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 170 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 170 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 11.5 ns |
| 下降时间 | 6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 75pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 225 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 568-10793-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 260mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | TSSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 900mA |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
