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- 型号： PMFPB6545UP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMFPB6545UP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMFPB6545UP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMFPB6545UP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMFPB6545UP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMFPB6545UP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMFPB6545UP,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-666封装（超小型表面贴装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或反向电流阻断（如USB OTG供电路径控制）； - 高能效DC-DC转换器：作为同步整流管或次级侧开关，用于降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑，提升轻载效率； - LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的PWM调光开关，支持高频、低损耗通断； - 工业与IoT传感器节点：在低功耗微控制器（如NXP i.MX RT或LPC系列）外围电路中实现外设供电使能/关断，降低待机功耗； - 热插拔与电源排序电路：凭借低阈值电压（VGS(th) ≈ –0.7 V至–1.3 V）和稳定雪崩耐量，适用于板级电源时序控制与浪涌抑制。 该器件额定电压为–60 V，连续漏极电流达–2.8 A（Ta=25°C），适合中低压、中等电流、空间受限的高可靠性应用。需注意其P沟道特性，常用于高边开关配置，驱动简单（逻辑电平兼容3.3 V/5 V系统）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 380pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-6532-6 |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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