Datasheet下载- 型号： PMEG6020ETP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG6020ETP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG6020ETP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG6020ETP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMEG6020ETP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG6020ETP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG6020ETP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款小信号肖特基势垒整流二极管，采用超小型 SOD123W 封装（尺寸仅 2.6 × 1.7 × 1.0 mm），具有低正向压降（典型值 0.39 V @ 2 A）、高效率、快速开关（反向恢复时间近乎为零）及良好热性能等特点。其额定参数为：最大反向电压 VR = 60 V，平均整流电流 IO = 2 A（PCB 焊盘散热条件下），峰值浪涌电流 IFSM = 40 A。 该器件主要适用于对空间、能效与响应速度要求严苛的低压直流电源场景，典型应用包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、智能手表等内部 USB-C 或电池供电路径中的反向电流阻断（防倒灌）与同步整流辅助； - DC-DC 转换器输出整流：在 5 V/3.3 V/1.8 V 等低压高频率（≥1 MHz）Buck 或 Boost 电路中替代传统快恢复二极管，降低导通损耗，提升转换效率； - LED 驱动与传感器供电电路：用于防止电源极性接反或实现简易 OR-ing 功能（如双电池/USB+电池冗余供电切换）； - 汽车电子子系统：符合 AEC-Q101 认证（注：需确认具体批次是否通过，但该型号设计满足车规级可靠性要求），可用于车载信息娱乐、ADAS 摄像头模块等 12 V 输入系统的次级侧高效整流与保护。 其紧凑封装与低 VF 特性使其特别适合高密度 PCB 设计，在追求轻薄化与长续航的终端产品中发挥关键作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 60V 2A FLATPOWER肖特基二极管与整流器 PMEG6020ETP/FLATPOWER/REEL7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG6020ETP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG6020ETP,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 530mV @ 2A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 240pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 150µA @ 60V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-128 |
| 其它名称 | 568-10779-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 8.6ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-128 |
| 封装/箱体 | SOD-128 |
| 峰值反向电压 | 60 V |
| 工作温度-结 | 175°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 8.6 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大二极管电容 | 240 pF |
| 最大功率耗散 | 2500 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 150 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 460 mV |
| 正向连续电流 | 2 A |
| 热阻 | 12°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 60V |
| 电流-平均整流(Io) | 2A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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