Datasheet下载- 型号： PMEG4010ETR,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG4010ETR,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG4010ETR,115价格参考。NXP SemiconductorsPMEG4010ETR,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMEG4010ETR,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMEG4010ETR,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG4010ETR,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款肖特基二极管，属于二极管 - 整流器 - 单类型。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该二极管适用于各种电源转换电路，例如 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。由于其低正向压降特性，能够有效减少功率损耗，提高电源效率。 2. 逆向保护：在电路设计中，PMEG4010ETR 可用作防止电源极性接反的保护元件。它的快速响应速度和低功耗特点使其成为理想的逆向电流阻断器件。 3. 续流二极管：在开关模式电源或电机驱动电路中，该型号可以用作续流二极管，以吸收感性负载（如电感或电机）产生的反电动势，保护其他电路组件。 4. 太阳能电池板：在光伏系统中，PMEG4010ETR 可用于旁路二极管或阻塞二极管，确保太阳能电池板在部分遮挡或故障时仍能正常工作，并防止电流回流损坏电池板。 5. 汽车电子：此型号符合 AEC-Q101 标准，适合应用于汽车环境下的各种电子系统，如车载充电器、LED 照明驱动、引擎控制单元（ECU）等。其高可靠性和耐高温性能满足严苛的汽车应用需求。 6. 消费类电子产品：可用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑适配器以及 USB 充电器等便携式设备中的整流与保护功能。 7. 通信设备：在基站、路由器和其他通信基础设施中，作为高效整流和保护元件使用。 总之，PMEG4010ETR,115 凭借其出色的电气性能和稳定性，广泛应用于需要高效整流、快速开关及低功耗的各类工业、消费及汽车领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD2肖特基二极管与整流器 PMEG4010ETR/SOD2/REEL7 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG4010ETR,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG4010ETR,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 490mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 130pF @ 1V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 40V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD123W |
| 其它名称 | 568-10774-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 反向恢复时间(trr) | 4.4ns |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123W |
| 封装/箱体 | SOD-123W |
| 峰值反向电压 | 40 V |
| 工作温度-结 | 175°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 恢复时间 | 4.4 ns |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 2140 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 50 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.43 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 18°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 40V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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