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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010ET,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010ET,215价格参考¥0.28-¥0.48。NXP SemiconductorsPMEG2010ET,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMEG2010ET,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010ET,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010ET,215 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的低压肖特基势垒整流二极管,采用SOD-123小型表面贴装封装,具有低正向压降(典型值仅0.39 V @ 1 A)、低反向漏电流(<2 µA @ 20 V)及快速开关特性。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中,用于USB供电路径管理、电池充电保护电路或LDO前级防反接/反向电流阻断; 2. DC-DC转换器输出整流:在低压、高效率同步整流受限的场合(如小功率Buck转换器),作为续流或输出整流元件,降低导通损耗; 3. 负载开关与电源轨隔离:在多电源系统(如主备电源切换、PMIC供电域隔离)中实现单向导通与反向阻断,防止电压倒灌; 4. ESD敏感电路前端保护:凭借低结电容(约60 pF)和快速响应,可配合TVS器件用于I/O接口(如USB、SIM卡槽)的初级整流与静电协同防护。 该器件额定参数为20 V反向电压、1 A平均整流电流,适用于空间受限、强调能效与可靠性的低电压(≤5 V)系统,不适用于高压或大电流工频整流场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A TO236AB肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 20V 1A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010ET,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010ET,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 500mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 80pF @ 1V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200µA @ 20V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-4100-1 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 150°C (最大) |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 150 C |
| 工具箱 | /product-detail/zh/3806684/NXPMEGA1-KIT-ND/1841808 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 420 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 200 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 9 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.5 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 120°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A(DC) |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2010ET T/R |