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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMEG2010EA,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMEG2010EA,115价格参考¥0.30-¥0.30。NXP SemiconductorsPMEG2010EA,115封装/规格:二极管 - 整流器 - 单, 肖特基 表面贴装 二极管 20V 1A(DC) SOD-323。您可以下载PMEG2010EA,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMEG2010EA,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMEG2010EA,115 是德州仪器(Texas Instruments)旗下的一款低压肖特基势垒整流二极管(实际由Nexperia设计并生产,TI曾分销,现该型号主要归属Nexperia;需注意:TI官网当前未列此型号,常见于Nexperia产品线)。其关键参数为:20V反向电压(VR)、1A平均整流电流(IF)、超低正向压降(典型值仅0.39V @ 1A),采用小型SOD-123表面贴装封装。 典型应用场景包括: 1. 便携式电子设备电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的USB供电路径管理或电池充电回路,利用其低压降特性减少功耗与发热; 2. DC-DC转换器输出整流——在同步整流难以实现的低成本小功率Buck电路中,作为续流/整流二极管,提升转换效率; 3. 反向电压保护(Reverse Polarity Protection)——串联在电源输入端,防止电池或适配器反接损坏后级IC(如PMIC、MCU),因低VF可最大限度降低压损; 4. LDO或开关稳压器的体二极管替代——在空间受限设计中替代传统硅二极管,优化启动响应与轻载效率。 注:选型时需确认实际供货来源(Nexperia为主),并注意其最大结温(150°C)及热设计要求。不适用于高压或高浪涌场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323肖特基二极管与整流器 Schottky 20V 1 A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,NXP Semiconductors PMEG2010EA,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMEG2010EA,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 550mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | 25pF @ 5V,1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 15V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 |
| 其它名称 | 568-5035-2 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-76,SOD-323 |
| 封装/箱体 | SOD-323 |
| 峰值反向电压 | 20 V |
| 工作温度-结 | 125°C (最大) |
| 工作温度范围 | + 125 C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 50 uA at 15 V |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大浪涌电流 | 5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电压下降 | 0.55 V |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 220°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 20V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A(DC) |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | PMEG2010EA T/R |