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  • 型号: PMDPB28UN,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMDPB28UN,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMDPB28UN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMDPB28UN,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMDPB28UN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMDPB28UN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V DUAL HUSON6MOSFET 20V, Dual N-Channel Trench MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

5.8 A

Id-连续漏极电流

5.8 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMDPB28UN,115-

数据手册

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产品型号

PMDPB28UN,115

Pd-PowerDissipation

8330 mW

Pd-功率耗散

8.33 W

Qg-GateCharge

3.1 nC

Qg-栅极电荷

3.1 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

30 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

30 mOhms

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

0.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.7 V

上升时间

15 ns

下降时间

9 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

265pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

37 毫欧 @ 4.6A, 4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-HUSON(2X2)

其它名称

568-10755-1

典型关闭延迟时间

13 ns

功率-最大值

510mW

包装

剪切带 (CT)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-UDFN 裸露焊盘

封装/箱体

DFN2020-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.6A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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