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- 型号： PMD9002D,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMD9002D,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMD9002D,115价格参考。NXP SemiconductorsPMD9002D,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMD9002D,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMD9002D,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMD9002D,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双通道、高增益、低噪声、NPN/NPN 匹配晶体管阵列（采用 SOT-363 封装），专为精密模拟信号处理与传感接口设计，属于“晶体管—特殊用途”类别。其核心应用场景包括： 1. 高精度电流检测与放大：内置匹配良好的双 NPN 晶体管，常用于构建镜像电流源、差分对或仪表放大器前端，提升电流传感（如电源监控、电池管理）的线性度与温漂稳定性。 2. 传感器信号调理电路：广泛应用于桥式传感器（如压力、温度、应变片）的前置放大，利用其优异的匹配特性（hFE、VBE 匹配度高）抑制共模干扰，提高信噪比。 3. 低功耗模拟前端（AFE）：适用于便携式医疗设备（如心率监测）、工业变送器等对功耗和精度要求严苛的场景；典型工作电流低至微安级，支持宽温度范围（−65°C 至 +150°C）。 4. 基准电压/电流源构建：配合电阻网络实现高稳定性偏置电路，用于 ADC/DAC 参考驱动或LDO误差放大器。 该器件不适用于开关或功率放大等通用场景，其价值在于匹配性、低温漂和小信号线性度，是模拟电路中追求精度与可靠性的关键基础元件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC MOSFET DRIVER 6TSOP |
| 产品分类 | 晶体管 - 专用型 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMD9002D,115 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | 568-7383-1 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 应用 | MOSFET 驱动器 |
| 晶体管类型 | 2 NPN（图腾柱） |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-额定 | 50V NPN，45V NPN |
| 额定电流 | 100mA NPN，100mA NPN |
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