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  • 型号: PMBT5551,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PMBT5551,215产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT5551,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT5551,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT5551,215封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 160V 300mA 300MHz 250mW 表面贴装 TO-236AB。您可以下载PMBT5551,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT5551,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMBT5551,215 是 NXP USA Inc. 推出的通用 NPN 型双极结型晶体管(BJT),具有高电压(VCEO = 160 V)、中等电流(IC = 600 mA)和较高增益(hFE 典型值 80–250 @ IC = 10 mA),采用小型 SOT-23 表面贴装封装,适合高密度 PCB 设计。

其典型应用场景包括:  
✅ 通用开关电路:如微控制器 I/O 口驱动继电器、LED、小功率电磁阀或逻辑电平转换,利用其快速开关特性(ton/toff 约数十纳秒)与可靠饱和导通能力;  
✅ 信号放大:适用于音频前置放大、传感器信号调理(如热敏电阻、光电二极管弱信号放大)等低频(fT ≈ 100 MHz)模拟应用;  
✅ 电源管理辅助电路:在开关电源中用作基准电压检测、过压保护比较器的输出级,或线性稳压器中的误差放大管;  
✅ 工业与消费类电子:广泛用于打印机、机顶盒、家电控制板、IoT 节点等对成本、尺寸和可靠性要求较高的场景。

该器件符合 AEC-Q200(部分批次),具备良好温度稳定性与ESD防护(HBM > 4 kV),支持无铅回流焊。因其高耐压特性,在替代老式2N5551/BC550等分立晶体管时尤为适用,是中小功率模拟/数字混合电路中的成熟优选方案。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS NPN 160V 300MA SOT23两极晶体管 - BJT NPN HV 300mA 160V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT5551,215-

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产品型号

PMBT5551,215

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

200mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 10mA,5V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-5034-6

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.3 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

160V

电流-集电极(Ic)(最大值)

300mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

80 at 1 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

80 at 1 mA at 5 V, 80 at 10 mA at 5 V, 30 at 50 mA at 5 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

160 V

集电极—基极电压VCBO

180 V

零件号别名

PMBT5551 T/R

频率-跃迁

300MHz

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