Datasheet下载- 型号： PMBT3946YPN,125
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT3946YPN,125由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT3946YPN,125价格参考。NXP SemiconductorsPMBT3946YPN,125封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMBT3946YPN,125参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMBT3946YPN,125 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMBT3946YPN,125 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款双极型晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要多个晶体管集成封装的电路设计中。其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 通用开关与放大电路：该器件适用于中低功率的开关和信号放大应用，常见于消费类电子产品、工业控制设备和通信模块中。 2. 数字逻辑电路：由于其封装内集成多个晶体管，适合用于构建数字逻辑门电路、缓冲器或电平转换电路。 3. 电源管理与负载驱动：可用于小型继电器、LED指示灯、小型电机或风扇等负载的驱动控制。 4. 汽车电子系统：Nexperia 的器件通常具有较好的稳定性和温度适应性，适用于汽车电子中的传感器接口、控制单元等非高功率场景。 5. 便携设备与传感器接口：因体积小、功耗低，适合用于便携式设备和各类传感器信号处理电路中。 综上，PMBT3946YPN,125 主要应用于对空间和功耗有一定要求，且需要多个BJT晶体管协同工作的电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 40V 200MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT NPN/PNP 40 V 200 mA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT3946YPN,125- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMBT3946YPN,125 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934061453125 |
| 功率-最大值 | 230mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 230 mW |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 30 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极连续电流 | 200 mA |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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