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  • 型号: PMBT2369,215
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMBT2369,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMBT2369,215价格参考。NXP SemiconductorsPMBT2369,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMBT2369,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMBT2369,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMBT2369,215 是 NXP USA Inc. 推出的通用 NPN 型双极结型晶体管(BJT),采用 SOT-23 小型表面贴装封装,具有高增益(hFE 典型值 150–300)、低噪声、快速开关特性(fT ≈ 500 MHz)及良好的一致性。其典型应用场景包括:

1. 高频小信号放大:适用于射频前端、无线收发模块(如 2.4 GHz ISM 频段)、蓝牙/Wi-Fi 蓝牙音频电路中的低电平信号预放大;  
2. 高速开关与脉冲整形:在数字逻辑接口、时钟缓冲、LED 驱动、传感器信号调理电路中用作开关或反相器;  
3. 消费电子模拟电路:用于便携式设备(如耳机放大器、USB 音频 DAC 输出级、电源管理中的基准电流源或偏置电路);  
4. 工业传感与通信接口:在电流环路接收、光电耦合器驱动、RS-232/RS-485 电平转换等低压、低功耗模拟前端中提供可靠放大与隔离控制。

该器件工作电压低(VCEO = 15 V)、最大集电极电流 IC = 100 mA,适合电池供电、空间受限的便携式与嵌入式系统。其 AEC-Q200 兼容版本(如 PMBT2369A,215)亦可用于汽车信息娱乐系统的非安全关键模拟电路。总体而言,PMBT2369,215 是一款面向高性能、低功耗、高频小信号应用的成熟通用BJT。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN SW 200MA 15V SOT23两极晶体管 - BJT NPN SW 200MA 15V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMBT2369,215-

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产品型号

PMBT2369,215

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 1mA,10mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 10mA,1V

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23 (TO-236AB)

其它名称

568-1739-6

功率-最大值

250mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

500 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

250 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

15V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

40 at 10 mA at 1 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

40 at 10 mA at 1 V, 20 at 100 mA at 2 V

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

15 V

集电极—基极电压VCBO

40 V

零件号别名

PMBT2369 T/R

频率-跃迁

500MHz

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