ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > PLVA659A,215
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PLVA659A,215产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PLVA659A,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PLVA659A,215价格参考。NXP SemiconductorsPLVA659A,215封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 5.9V 250mW ±3% Surface Mount TO-236AB。您可以下载PLVA659A,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PLVA659A,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PLVA659A,215 是 NXP USA Inc. 推出的一款单通道齐纳二极管(ESD保护型齐纳二极管),主要面向低压、高精度电压钳位与静电放电(ESD)防护应用。其典型击穿电压为 5.9 V(标称值),具有低钳位电压、快速响应(<1 ns)和高达 ±30 kV(空气放电)的IEC 61000-4-2 ESD防护能力。 该器件常用于便携式电子设备的输入/输出接口保护,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的 USB、HDMI、SIM卡槽、SD卡接口及按钮/触控引脚等信号线。凭借小型无铅 SOD-323 封装(尺寸仅 1.7 × 1.25 × 0.95 mm)和低漏电流(<100 nA @ VR),它特别适合空间受限且对功耗敏感的电池供电系统。 此外,PLVA659A,215 兼具齐纳稳压特性与TVS瞬态抑制功能,可用于为低功耗微控制器(MCU)I/O口提供过压箝位与ESD协同保护,避免因热插拔、感应浪涌或人体静电导致的逻辑误动作或器件损坏。其符合AEC-Q200标准(部分批次),亦适用于车规级信息娱乐系统或车身控制模块中非安全关键信号线路的稳健防护。 简言之:核心应用场景是消费电子与汽车电子中,对5V级信号线实施紧凑、高效、可靠的ESD防护与电压钳位。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE ZENER 5.9V 250MW TO236AB稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors PLVA659A,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PLVA659A,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 1µA @ 5.3V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 568-6832-1 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 功率耗散 | 250 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±3% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 100 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 5.9V |
| 电压容差 | 3 % |
| 电压温度系数 | 2.4 mV/K |
| 电压调节准确度 | 100 mV |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 100 欧姆 |
| 零件号别名 | PLVA659A T/R |
| 齐纳电压 | 5.9 V |
| 齐纳电流 | 250 mA |