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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4685T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4685T1G价格参考¥0.12-¥0.12。ON SemiconductorMMSZ4685T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMSZ4685T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ4685T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4685T1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压:MMSZ4685T1G 的齐纳电压为 4.6V,非常适合用于低电压电路中的稳压功能。它可以在电源输出波动时提供稳定的参考电压,确保下游电路正常工作。 2. 过压保护:该齐纳二极管可以用来保护敏感电子元件免受过高电压的影响。例如,在信号输入端或电源输入端,它可以将电压钳位在安全范围内,防止损坏后级电路。 3. 信号电平转换:在模拟和数字电路中,MMSZ4685T1G 可以用于调整信号电平。通过设置适当的齐纳电压,它可以将输入信号限制在一个特定的电压范围内,从而实现电平匹配。 4. 基准电压源:由于其稳定的齐纳电压特性,MMSZ4685T1G 可作为精密基准电压源,应用于需要高精度电压参考的场合,如 ADC/DAC 电路、比较器等。 5. ESD 和瞬态抑制:在易受静电放电(ESD)或其他瞬态电压干扰的环境中,这款齐纳二极管可以用作保护器件,快速吸收瞬态能量,保护核心电路。 6. 音频电路中的应用:在一些音频设备中,齐纳二极管可用于限制放大器的输出电压范围,避免因过载而导致失真或损坏扬声器。 7. 电池管理:在便携式设备的电池管理系统中,MMSZ4685T1G 可用于监测电池电压,确保电池不会过充或过放。 总之,MMSZ4685T1G 凭借其精确的齐纳电压和紧凑的封装形式(SOD-123FL),广泛适用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域中的各种低功率电压调节和保护需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 3.6V 500MW SOD123稳压二极管 3.6V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ4685T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ4685T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 7.5µA @ 2V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ4685T1GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 7.5 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.6V |
电压容差 | 3 % |
系列 | MMSZ4685 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | - |
齐纳电压 | 3.6 V |
齐纳电流 | 50 uA |