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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MMBZ5258C-E3-18
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5258C-E3-18由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5258C-E3-18价格参考。VishayMMBZ5258C-E3-18封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMBZ5258C-E3-18参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMBZ5258C-E3-18 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBZ5258C-E3-18 是 Vishay（威世）生产的表面贴装齐纳二极管，标称稳压值为39 V（容差±5%），功率为250 mW，采用SOT-23封装。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与稳压：在低功耗电路中为ADC、传感器或运算放大器提供稳定参考电压； 2. 过压保护（OVP）：与TVS或限流电阻配合，钳位瞬态过电压（如ESD、浪涌），保护后级IC（如MCU、通信接口）； 3. 电源轨箝位：用于3.3 V/5 V/12 V等系统中，防止反向电压或意外高压损坏敏感器件； 4. 反馈电路：在开关电源（如DC-DC转换器）的光耦反馈路径中辅助设定输出电压精度； 5. 电池管理：在锂电或多节电池组中监测或限制单节电压，防止过充（需搭配分压网络使用）。 该器件具有低漏电流（≤1 μA @ 31.2 V）、良好温度稳定性（TC ≈ ±0.07%/°C）及高可靠性，适用于工业控制、汽车电子（AEC-Q200认证）、消费电子及通信设备中的紧凑型保护与基准设计。注意：实际应用中需校核功耗（P = Vz × Iz），避免超过250 mW额定值，并建议添加限流电阻以确保工作在安全区。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 225MW 2% SOT23 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMBZ5258C-E3-18 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
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