Datasheet下载- 型号： PHT2NQ10T,135
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHT2NQ10T,135由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHT2NQ10T,135价格参考。NXP SemiconductorsPHT2NQ10T,135封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHT2NQ10T,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHT2NQ10T,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHT2NQ10T,135 是由 NXP USA Inc. 生产的一款晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单类型。该型号的 MOSFET 主要应用于需要高效开关和低导通电阻的场景中，以下是其典型的应用领域： 1. 电源管理：PHT2NQ10T,135 可用于开关电源、DC-DC 转换器以及电压调节模块中，提供高效的功率转换和稳定的输出电压。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，该器件能够实现快速的开关操作，支持高效驱动，适用于家用电器、电动工具等产品中的电机控制电路。 3. 负载开关：作为负载开关使用时，PHT2NQ10T,135 可以精确地控制电流流向，保护电路免受过载或短路的影响，常见于消费电子设备中。 4. 电池管理系统 (BMS)：在电池保护电路中，这款 MOSFET 能够帮助监控和管理充电/放电过程，确保电池的安全性和使用寿命。 5. 通信设备：可用于无线通信设备中的信号放大和调制解调电路，支持高频信号处理。 6. 汽车电子：在车载电子系统中，例如车身控制模块、照明控制单元等，PHT2NQ10T,135 提供了可靠的性能表现。 该器件以其低导通电阻、高切换速度和良好的热稳定性著称，适合多种工业、商业及消费级应用场合。选择具体应用场景时需根据实际需求评估其电气参数是否满足要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 2.5A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHT2NQ10T,135 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 430 毫欧 @ 1.75A，10V |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 934056839135 |
| 功率-最大值 | 6.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
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