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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PHP45NQ11T,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHP45NQ11T,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHP45NQ11T,127价格参考。NXP SemiconductorsPHP45NQ11T,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHP45NQ11T,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHP45NQ11T,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHP45NQ11T,127 是 Nexperia（安世半导体）出品的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装。其典型参数包括：VDS = 110 V，ID（连续）= 45 A，RDS(on) ≈ 32 mΩ（@ VGS = 10 V），具备低导通电阻、高电流能力及良好的热稳定性。 该器件主要应用于中高压、中大功率开关场景，常见于： • 工业电源与开关电源（SMPS）中的次级侧同步整流或主开关； • 电机驱动电路（如直流无刷电机BLDC控制器、工业泵/风扇驱动模块）； • 不间断电源（UPS）、逆变器及光伏汇流箱中的直流侧开关与保护； • 电池管理系统（BMS）中的充放电主回路控制与过流保护； • 电动工具、电动车（如E-bike控制器）中的功率切换模块。 因其支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 2–4 V，可直接由 MCU 或驱动IC控制），且具有雪崩耐量（UIS rated），在存在感性负载或电压尖峰的环境中可靠性较高。需注意：TO-220封装需配合合适散热器以保障长期满载运行稳定性。 （注：“品牌为-”应为品牌信息缺失，实际制造商为 Nexperia；“127”为包装/批次代码，不影响电气应用。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 105V 47A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHP45NQ11T,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2930pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5767 |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 105V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tmb） |
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