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- 型号： PHP191NQ06LT,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PHP191NQ06LT,127产品简介：
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Nexperia 的 PHP191NQ06LT,127 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 1.9 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 191 A）和优异的热性能。其主要应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于车载电源系统，如电动座椅、车窗升降、雨刮器、LED 大灯驱动及车身控制模块（BCM）中的高侧/低侧开关，符合 AEC-Q101 认证，支持严苛的车规级温度（–55°C 至 +175°C）与可靠性要求； - 工业电源与电机驱动：适用于 DC-DC 降压转换器（如 POL 模块）、伺服驱动器、BLDC 电机控制器中的功率开关，凭借低 RDS(on) 和快速开关特性提升能效与功率密度； - 服务器/通信设备电源：在 48V 输入的高效 VRM/VRD 模块中用作同步整流管或主开关，支持高频率 PWM 工作； - 电池管理系统（BMS）：用于电池保护电路中的充放电主回路开关，具备强抗雪崩能力（UIS 额定），保障系统安全。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1.0–2.5 V），可直接由 MCU 或栅极驱动 IC 控制，简化设计；LFPAK 封装提供优异的散热与 PCB 贴装可靠性，适合高功率密度布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHP191NQ06LT,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7665pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95.6nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5756 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
