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产品简介:
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PHB174NQ04LT,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 3.6 mΩ @ VGS = 10 V,典型值)、高电流能力(ID = 120 A,脉冲)、快速开关特性及优化的栅极电荷(Qg ≈ 54 nC),支持 40 V 耐压。 该器件主要面向中高功率、高效率、空间受限的电源管理与功率控制场景,典型应用包括: - 汽车电子:车载 DC-DC 转换器(如 12 V→5 V/3.3 V 降压模块)、车身控制模块(BCM)中的负载开关、LED 前照灯/尾灯驱动、电机控制(如车窗升降、座椅调节的小功率H桥); - 工业电源:服务器/通信设备的同步整流、热插拔保护电路、POL(Point-of-Load)稳压器的主开关管; - 消费类电源:大功率快充适配器(如 GaN+MOSFET 混合拓扑中的低压侧开关)、电动工具电池包的保护与充放电控制; - 其他:UPS 系统、固态继电器(SSR)及高可靠性板级电源分配开关。 其逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1.0–2.5 V)兼容 3.3 V/5 V MCU 直接驱动,LFPAK56 封装具备优异热性能与PCB贴装可靠性,适用于自动化产线及严苛环境(AEC-Q101 认证,符合汽车级标准)。 综上,该MOSFET适用于需高效率、高可靠性和紧凑设计的中等功率开关场景,尤其在汽车与工业电源领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PHB174NQ04LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5345pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2187-6 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |