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  • 型号: PHB174NQ04LT,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHB174NQ04LT,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB174NQ04LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB174NQ04LT,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHB174NQ04LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHB174NQ04LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PHB174NQ04LT,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 3.6 mΩ @ VGS = 10 V,典型值)、高电流能力(ID = 120 A,脉冲)、快速开关特性及优化的栅极电荷(Qg ≈ 54 nC),支持 40 V 耐压。

该器件主要面向中高功率、高效率、空间受限的电源管理与功率控制场景,典型应用包括:  
- 汽车电子:车载 DC-DC 转换器(如 12 V→5 V/3.3 V 降压模块)、车身控制模块(BCM)中的负载开关、LED 前照灯/尾灯驱动、电机控制(如车窗升降、座椅调节的小功率H桥);  
- 工业电源:服务器/通信设备的同步整流、热插拔保护电路、POL(Point-of-Load)稳压器的主开关管;  
- 消费类电源:大功率快充适配器(如 GaN+MOSFET 混合拓扑中的低压侧开关)、电动工具电池包的保护与充放电控制;  
- 其他:UPS 系统、固态继电器(SSR)及高可靠性板级电源分配开关。

其逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1.0–2.5 V)兼容 3.3 V/5 V MCU 直接驱动,LFPAK56 封装具备优异热性能与PCB贴装可靠性,适用于自动化产线及严苛环境(AEC-Q101 认证,符合汽车级标准)。  

综上,该MOSFET适用于需高效率、高可靠性和紧凑设计的中等功率开关场景,尤其在汽车与工业电源领域表现突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

PHB174NQ04LT,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5345pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

64nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

D2PAK

其它名称

568-2187-6
PHB174NQ04LT118

功率-最大值

250W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

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