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- 型号： PHB146NQ06LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB146NQ06LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB146NQ06LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB146NQ06LT,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB146NQ06LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB146NQ06LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB146NQ06LT,118 是 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其典型参数包括：VDS = 60 V、RDS(on) ≤ 12.5 mΩ（VGS = 10 V）、ID = 100 A（脉冲），具备低导通电阻、高电流能力及快速开关特性。 主要应用场景包括： - 汽车电子：符合AEC-Q101标准，广泛用于车载电机控制（如车窗升降、座椅调节、冷却风扇驱动）、LED车灯调光/开关、DC-DC转换器（如12 V/48 V电源管理）等。 - 工业电源与负载开关：适用于高效率DC/DC模块、服务器电源热插拔保护、PLC输出驱动及继电器替代方案，支持高频PWM控制。 - 消费类电源系统：如快充适配器次级同步整流、大功率移动电源（PD协议）的主开关、电动工具电池保护电路中的充放电路径控制。 该器件集成低栅极电荷（Qg ≈ 43 nC）和优化体二极管，可降低开关损耗与EMI，配合逻辑电平驱动（VGS(th) 低至1.0–2.5 V），便于MCU或驱动IC直接控制，无需额外电平转换。LFPAK56封装兼具高功率密度与优异热性能，适合空间受限且需良好散热的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB146NQ06LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5675pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2185-6 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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