Datasheet下载- 型号： PHB129NQ04LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB129NQ04LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB129NQ04LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB129NQ04LT,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB129NQ04LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB129NQ04LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB129NQ04LT,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值1.9 mΩ @ Vgs=10V，2.5 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=120A，脉冲可达480A）及优异热性能。其主要应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于车载电机控制（如电子助力转向EPS、水泵、风扇驱动）、车身控制模块（BCM）中的负载开关、LED车灯调光/驱动，以及48V轻混（MHEV）系统的DC-DC转换与电池管理。 - 工业电源与电机驱动：适用于高效开关电源（如服务器PSU、通信电源）、工业变频器、BLDC电机驱动的半桥/全桥功率级，尤其适合高效率、高密度设计需求。 - 消费类与计算设备：用于笔记本电脑/游戏主机的CPU/GPU供电（VRM相位MOSFET）、USB PD快充协议中的同步整流与功率开关。 该器件通过AEC-Q101认证，具备高可靠性、强抗雪崩能力及ESD防护，支持逻辑电平驱动（兼容3.3V/5V MCU），简化栅极驱动设计，降低系统成本与PCB面积。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB129NQ04LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3965pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2184-6 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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