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- 型号： PHB110NQ06LT,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB110NQ06LT,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB110NQ06LT,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB110NQ06LT,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PHB110NQ06LT,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB110NQ06LT,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB110NQ06LT,118 是恩智浦（NXP）推出的N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅9.5 mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（Id=110A）及60V耐压，适用于中高压、大电流开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器、电机驱动（如座椅调节、车窗升降、风扇控制）、LED车灯调光/驱动电路；其AEC-Q101认证确保满足车规级可靠性与温度要求（-55°C ~ 175°C结温）。 ✅ 工业电源：服务器/通信设备的同步整流BUCK变换器、工业PLC输出驱动模块、UPS逆变器的功率开关。 ✅ 消费类电源：高能效快充适配器（如PD协议多口充电器）中的主开关管或次级同步整流管，支持高频PWM工作，降低开关损耗。 ✅ 电池管理系统（BMS）：电动工具、储能系统中的电池保护电路（过流/短路保护开关）及充放电路径控制。 该器件具备逻辑电平驱动特性（Vgs(th)低至1.0–2.4V），可直接由MCU或驱动IC（如3.3V/5V输出）控制，简化外围电路；内置ESD保护与雪崩耐量（EAS=420mJ），提升系统鲁棒性。综合性能使其在高效率、高密度、高可靠性要求的中功率开关应用中表现突出。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PHB110NQ06LT,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-2183-6 |
| 功率-最大值 | 200W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
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