Datasheet下载- 型号： PH8230E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PH8230E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PH8230E,115价格参考。NXP SemiconductorsPH8230E,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PH8230E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PH8230E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PH8230E,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用小型表面贴装 SOT-666 封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值 30 mΩ @ Vgs = 4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS 耳机、可穿戴设备中的负载开关、电池保护电路或 LED 驱动控制，得益于其低功耗与小尺寸； - DC-DC 转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为高边/低边开关，提升转换效率（尤其适用于 3.3 V / 5 V 输入系统）； - 电机驱动与继电器替代：用于微型直流电机（如风扇、振动马达）的 PWM 控制，或固态开关替代机械继电器，实现静音、长寿命控制； - 工业与消费类接口保护：如 USB 端口过流保护、I/O 级别转换、热插拔电路中的功率开关； - LED 照明调光控制：支持高频 PWM 调光，配合恒流驱动芯片实现精准亮度调节。 该器件额定电压为 30 V，连续漏极电流达 4.5 A（Tc=25°C），具备 ESD 保护（HBM > 2 kV），符合 RoHS 与无卤素要求，适用于空间受限且需高能效、高可靠性的中低功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 67A LFPAKMOSFET N-CH TRENCH 30V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 67 A |
| Id-连续漏极电流 | 67 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PH8230E,115TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PH8230E,115 |
| Pd-PowerDissipation | 62.5 W |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 44 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.2 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-2350-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 8.2 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 67 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 67A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Triple Source |
| 零件号别名 | PH8230E T/R |
.jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
