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- 型号： PESD5V0V1USF,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PESD5V0V1USF,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD5V0V1USF,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD5V0V1USF,315价格参考。NXP SemiconductorsPESD5V0V1USF,315封装/规格：TVS - 二极管， 。您可以下载PESD5V0V1USF,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PESD5V0V1USF,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD5V0V1USF,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款超低电容（典型值0.6 pF）、单向TVS二极管，采用超小型DFN1006-2（0402）封装，专为高速、高灵敏度数据接口的静电放电（ESD）防护而设计。其主要应用场景包括：智能手机、平板电脑及可穿戴设备中的高速信号线保护，如USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY（摄像头/显示屏接口）、SD卡接口、SIM卡槽等；尤其适用于对电容敏感的射频前端与天线开关（如LTE/Wi-Fi/GNSS天线路径）的ESD防护，避免因寄生电容引入信号衰减或失真；亦可用于I²C、SPI等低电压（5 V工作电压）、低功耗微控制器外设接口的瞬态过压保护。该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4（±15 kV接触放电），响应时间小于1 ns，钳位电压低（典型值12 V@8 A），能有效将ESD脉冲能量泄放到地，保障后端精密IC（如图像传感器、基带芯片、RF收发器）免受损坏。凭借其微型尺寸与优异高频特性，广泛应用于空间受限且需高可靠ESD防护的便携式电子终端中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM SOD962 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PESD5V0V1USF,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 4pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | 2-DSN（0.60x0.30） |
| 其它名称 | 568-10748-2 |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 2-XFDFN |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 9,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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