Datasheet下载- 型号： JANTXV1N6461US
- 制造商： MICRO-SEMI
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供JANTXV1N6461US由MICRO-SEMI设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 JANTXV1N6461US价格参考。MICRO-SEMIJANTXV1N6461US封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载JANTXV1N6461US参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有JANTXV1N6461US 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
JANTXV1N6461US是Microsemi Corporation生产的一款TVS（瞬态电压抑制）二极管，属于高可靠性军用级器件，符合JANTXV标准，具备优良的环境稳定性和长期可靠性。该器件主要用于保护敏感电子电路免受瞬态高压脉冲的损害，如静电放电（ESD）、雷击感应、电感负载切换等引起的浪涌电压。 典型应用场景包括航空航天、国防军工、卫星通信、雷达系统和高可靠性工业设备。在这些领域中，电子系统常面临极端温度、辐射和电磁干扰等严苛环境，JANTXV1N6461US凭借其高耐用性和快速响应特性（纳秒级），可有效钳制瞬态过压，保护后续电路中的集成电路、传感器和电源模块。 此外，该TVS二极管也适用于高可靠性的电源输入端口、信号线路保护以及关键通信接口的过压防护。由于其符合军用规格，常用于需要通过严格质量认证（如MIL-PRF-19500）的应用场合，确保系统在关键任务中的持续稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 5VWM 9VC BSQMELF |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | Microsemi HI-REL [MIL] |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/11066-sd50a-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | JANTXV1N6461US |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | - |
| 供应商器件封装 | B, SQ-MELF |
| 其它名称 | 1086-2989 |
| 功率-峰值脉冲 | 500W |
| 包装 | 散装 |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SQ-MELF， B |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 9V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 315A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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