Datasheet下载- 型号： PESD5V0L1BSF,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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PESD5V0L1BSF,315产品简介：
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PESD5V0L1BSF,315 是德州仪器（Texas Instruments）推出的超低电容、单通道TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速数据接口的静电放电（ESD）防护设计。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的高速信号线保护，如USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY、SD卡接口、SIM卡槽及摄像头数据线（CSI）等。该器件具有仅0.35pF的超低结电容和0.5Ω的极低动态电阻，可最大限度减少信号衰减与失真，保障高速信号完整性（支持高达480Mbps的USB 2.0速率）。其IEC 61000-4-2 Level 4 ESD防护能力（±15kV接触放电，±20kV空气放电）满足严苛的工业与消费类电子EMC要求。采用超小型DFN1006-2（0402英寸）封装，节省PCB空间，适用于高密度、小型化设计。典型工作电压为5.0V（VRWM），钳位电压低（IPP=1A时典型值约12.5V），能快速响应并泄放瞬态能量，有效保护后端敏感的USB收发器、SoC或PMIC等芯片免受ESD、EFT等瞬变干扰损坏。广泛应用于TI自家AMx/OMAP系列处理器平台及各类嵌入式系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5.5VWM 13.5VC SOD962 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PESD5V0L1BSF,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 12pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | 2-DSN（0.60x0.30） |
| 其它名称 | 568-7345-1 |
| 功率-峰值脉冲 | 35W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 2-XFDFN |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C （TA） |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5.5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 13.5V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
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