Datasheet下载- 型号： PESD5V0F1BL,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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PESD5V0F1BL,315产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD5V0F1BL,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD5V0F1BL,315价格参考。NXP SemiconductorsPESD5V0F1BL,315封装/规格：TVS - 二极管， 15V Clamp 2.5A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOD-882。您可以下载PESD5V0F1BL,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PESD5V0F1BL,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD5V0F1BL,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款超低电容、单向 TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速数据接口的静电放电（ESD）防护设计。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中 USB 2.0、HDMI、MIPI D-PHY、SD卡接口、耳机插孔（Audio Jack）等高速或敏感信号线路的 ESD 保护；尤其适用于需要极低寄生电容（典型值仅 0.45 pF）以避免信号衰减和失真的场合。该器件可承受 IEC 61000-4-2 标准 ±8 kV（接触放电）/±15 kV（空气放电）的 ESD 冲击，钳位电压低（约 10 V @ 1 A），响应时间小于 1 ns，能快速泄放瞬态能量，有效保护后端精密 IC（如 USB PHY、摄像头传感器、音频编解码器等）免受静电损坏。采用超小型 DFN1006-2（0402 英寸）封装，节省 PCB 空间，符合 RoHS 及无卤要求，广泛用于消费电子与移动通信终端的接口级电路保护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 5.5VWM 15VC SOD882TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 DIODE FEMTOFARAD BI ESD |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,NXP Semiconductors PESD5V0F1BL,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD5V0F1BL,315 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | 0.4pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | SOD-882 |
| 其它名称 | 568-7344-6 |
| 击穿电压 | 8 V |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | - |
| 双向通道 | 1 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-882 |
| 封装/箱体 | SOD-882 |
| 峰值浪涌电流 | 2.5 A |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C （TA） |
| 工作电压 | 5.5 V |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 极性 | Bidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 6V |
| 电压-反向关态（典型值） | 5.5V（最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 15V |
| 电容 | 0.4 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 2.5A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PESD5V0F1BL |
| 钳位电压 | 15 V |
