Datasheet下载- 型号： PESD3V3L4UW,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
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PESD3V3L4UW,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD3V3L4UW,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PESD3V3L4UW,115价格参考。NXP SemiconductorsPESD3V3L4UW,115封装/规格：TVS - 二极管， 12V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount SOT-665。您可以下载PESD3V3L4UW,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PESD3V3L4UW,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD3V3L4UW,115 是 NXP USA Inc. 推出的超低电容四通道TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速数据接口的静电放电（ESD）防护设计。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中 USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI D-PHY/LVDS、SD卡接口、SIM卡槽等高速信号线的ESD保护；工业与汽车电子中对EMC要求严苛的通信端口（如车载信息娱乐系统的音视频接口）；以及可穿戴设备中空间受限、需兼顾高频性能与高可靠性的小型化电路。该器件具有每通道仅0.5pF的超低结电容（典型值），确保信号完整性，支持高达480Mbps（USB 2.0）甚至更高速率的数据传输；IEC 61000-4-2接触放电±15kV、空气放电±15kV的高ESD耐受能力；工作电压3.3V，钳位电压低（约8.5V@1A），响应时间小于1ns，能快速泄放瞬态能量，有效保护后级敏感IC（如SoC、PMIC、摄像头传感器、显示驱动器）。采用微型DFN1006-10（1.0×0.6mm）封装，节省PCB面积，适用于高密度布局。综上，它是高速、小型化、高可靠性电子系统中关键接口ESD防护的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 3.3VWM 12VC SOT665TVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD3V3L4UW,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD3V3L4UW,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同频率时的电容 | 22pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | SOT-665 |
| 其它名称 | 568-7339-2 |
| 击穿电压 | 5.32 V |
| 功率-峰值脉冲 | 30W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单向通道 | 4 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-665 |
| 封装/箱体 | SOT-665 |
| 尺寸 | 1.3(Max) mm W x 1.7(Max) mm L |
| 峰值浪涌电流 | 3 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 30 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C （TA） |
| 工作电压 | 3.3 V |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.32V |
| 电压-反向关态（典型值） | 3.3V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 12V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 3A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 类型 | 齐纳 |
| 钳位电压 | 12 V |
| 零件号别名 | PESD3V3L4UW T/R |
