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- 型号： PESD3V3V4UF,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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PESD3V3V4UF,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PESD3V3V4UF,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供PESD3V3V4UF,115价格参考以及NXP SemiconductorsPESD3V3V4UF,115封装/规格参数等产品信息。 你可以下载PESD3V3V4UF,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有PESD3V3V4UF,115详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PESD3V3V4UF,115 是 NXP USA Inc. 推出的超低电容TVS（瞬态电压抑制）二极管，专为高速数据接口的静电放电（ESD）防护设计。其典型应用场景包括：智能手机、平板电脑及笔记本电脑中的USB 2.0/3.0、HDMI、MIPI D-PHY/LVDS、SD卡接口、耳机插孔等高速信号线；车载信息娱乐系统（IVI）中对ESD敏感的多媒体接口；以及工业与医疗设备中需IEC 61000-4-2 Level 4（±15 kV空气放电/±8 kV接触放电）防护的精密模拟或数字信号端口。该器件具有仅0.45 pF的超低结电容（Typ.）、3.3 V工作电压、低钳位电压（<10 V @ 1 A），确保在不劣化信号完整性前提下提供可靠瞬态保护。采用超小型DFN1006-2（0402英寸）封装，适合高密度PCB布局。广泛用于消费电子、汽车电子和便携式设备中对尺寸、速度与ESD鲁棒性均有严苛要求的终端接口防护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TVS DIODE 3.3VWM 11VC 6XSONTVS二极管阵列 DIODE ARRAY ESD |
| 产品分类 | |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS二极管阵列,NXP Semiconductors PESD3V3V4UF,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PESD3V3V4UF,115 |
| PCN封装 | |
| 不同频率时的电容 | 15pF @ 1MHz |
| 产品种类 | TVS二极管阵列 |
| 供应商器件封装 | 6-XSON，SOT886（1.45x1） |
| 其它名称 | 568-7342-6 |
| 击穿电压 | 5.6 V |
| 功率-峰值脉冲 | 16W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-XFDFN |
| 封装/箱体 | XSON-6 |
| 尺寸 | 1.05(Max) mm W x 1.5(Max) mm L |
| 峰值浪涌电流 | 1.5 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 16 W |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工作电压 | 3.3 V |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 105 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 3.3V （最小值） |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 11V |
| 电容 | 15 pF |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 1.5A （8/20µs） |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | PESDxV4U |
| 通道 | 4 Channels |
| 钳位电压 | 11 V |
| 零件号别名 | PESD3V3V4UF T/R |
