Datasheet下载- 型号： PEMT1,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMT1,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMT1,315价格参考。NXP SemiconductorsPEMT1,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMT1,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMT1,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMT1,315 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-363（SC-70-6）小型封装，内部集成两个独立的 NPN 晶体管（共发射极配置），具有低饱和电压、高电流增益（hFE）、快速开关特性及良好热稳定性。 其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备的信号切换与逻辑电平转换——如智能手机、可穿戴设备中用于GPIO扩展、LED驱动或传感器接口的多路开关控制； 2. 小功率负载驱动——驱动微型继电器、蜂鸣器、小型LED灯组或低电流电磁阀等，单管集电极电流可达100 mA（IC），满足多数IoT终端需求； 3. 数字电路中的电平匹配与缓冲——在MCU与外围器件间提供电流放大与电气隔离，增强抗干扰能力； 4. 电池供电系统的电源管理辅助电路——如电池电压检测路径中的信号调理、使能信号分配等低功耗控制节点。 该器件支持1.8 V–5.5 V宽电源范围，静态电流极低（典型值<100 nA），契合低功耗设计要求；SOT-363封装节省PCB面积，适合高密度布局。需注意其非功率级器件，不适用于大电流或高压（VCEO=45 V）主开关场景。应用时建议参考NXP官方数据手册进行基极限流电阻计算与热评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS DUAL PNP 40V 100MA SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMT1,315 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 200mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056707315 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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