Datasheet下载- 型号： PEMD6,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD6,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD6,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD6,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD6,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD6,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PEMD6,115是一款双通道NPN型预偏置双极结型晶体管（BJT）阵列，内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），采用SOT-666封装。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC与外部负载（如LED、继电器、小功率MOSFET栅极）之间的信号缓冲与电平适配，简化外围偏置电路设计。 2. LED驱动与指示灯控制：双通道结构可独立驱动两路LED，内置电阻省去外置基极电阻，节省PCB面积并提升可靠性，适用于消费电子、工业面板等多路状态指示场景。 3. 开关电源辅助电路：在DC-DC转换器或LDO中用作使能控制、故障信号隔离或反馈路径中的简单开关/电平移位元件。 4. 总线/IO端口保护与驱动：配合上拉/下拉需求，实现开漏输出扩展或I²C等总线的电平兼容性增强（需注意速度限制，fₜ≈100MHz，适合中低速应用）。 5. 替代传统分立偏置方案：在空间受限或对BOM精简要求高的产品（如可穿戴设备、智能传感器模块）中，以单颗器件替代2个晶体管+4个电阻，降低贴片成本与失配风险。 该器件工作温度范围为−65°C至+150°C，具备AEC-Q101车规认证，亦适用于汽车电子中的非安全关键开关应用（如车身控制模块的灯光/传感器信号调理）。注意其最大连续集电极电流为100mA（每通道），不适用于大功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666开关晶体管 - 偏压电阻器 TRNS DOUBL RET TAPE7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,NXP Semiconductors PEMD6,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PEMD6,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 250µA， 5mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 1mA，5V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934056709115 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-666-6 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 零件号别名 | PEMD6 T/R |
| 频率-跃迁 | - |
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