Datasheet下载- 型号： PEMD18,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMD18,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMD18,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMD18,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PEMD18,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PEMD18,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PEMD18,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内含两个独立的 NPN 晶体管，每路均集成基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁ = 2.2 kΩ，R₂ = 47 kΩ），实现内置偏置，无需外部偏置电路。其主要应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如ARM、MCU）GPIO口与继电器、LED、小功率MOSFET或光耦之间的信号缓冲与电平适配，简化设计并提升响应速度。 - 开关控制电路：适用于中低速开关应用，如电源使能控制、状态指示灯驱动、传感器信号调理中的有源开关等。 - 工业与消费类电子中的紧凑型负载驱动：因采用SOT-666封装（超小型、6引脚），特别适合空间受限的便携设备、智能电表、家电控制板及IoT终端模块。 - 替代分立偏置方案：相比传统“晶体管+2~3颗电阻”方案，可减少BOM数量、提升装配良率与一致性，并改善温度稳定性与开关特性。 需注意：该器件为通用型小信号开关管（Ic max ≈ 100 mA，VCEO ≈ 50 V），不适用于高功率、高频（>100 MHz）或线性放大场景。典型工作环境温度范围为−65°C 至 +150°C，具备良好ESD防护能力（HBM > 8 kV），适合工业级可靠性要求的应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PEMD18,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 100mV @ 500µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 50 @ 10mA，5V |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 934058923115 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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